В наличии
Оперативная память Samsung, DDR4, 64GB (1x64GB), 2933 MHz, CL21, для сервера
- Производитель: Samsung
- Код Товара: 10218562
Оперативная память Samsung DDR4 с объемом 64 ГБ и тактовой частотой 2933 МГц предназначена для использования в серверных системах. Модуль памяти формата DIMM оснащен 288 контактами и поддерживает буферизованную архитектуру (Registered), что обеспечивает стабильную работу в многозадачных и ресурсоемких средах. Благодаря поддержке ECC и напряжению пи.. Еще
-
Цена:
100 030р.
- Просмотренные товары:
Оперативная память Samsung DDR4 с объемом 64 ГБ и тактовой частотой 2933 МГц предназначена для использования в серверных системах. Модуль памяти формата DIMM оснащен 288 контактами и поддерживает буферизованную архитектуру (Registered), что обеспечивает стабильную работу в многозадачных и ресурсоемких средах. Благодаря поддержке ECC и напряжению питания 1.2 В, память повышает надежность и снижает энергопотребление серверов. CAS Latency равен 21, а пропускная способность достигает 23400 МБ/с, что обеспечивает высокую скорость обработки данных. Модуль имеет один ранг (Single Rank) и не оснащен радиатором, произведен в Корее и поставляется в новом состоянии.
Характеристики |
|
| Суммарный объем памяти всего комплекта | 64 ГБ |
| Тип памяти | DDR4 |
| Тактовая частота | 2933 МГц |
| Количество модулей в комплекте | 1 |
| Форм-фактор модуля памяти | DIMM (Desktop) |
| Поддержка ECC | есть |
| Радиатор | нет |
| Подсветка элементов платы | нет |
| Объем одного модуля | 64 ГБ |
| Буферизованная (Registered) | да |
| Низкопрофильная (Low Profile) | нет |
| Для сервера | да |
| CAS Latency (CL) | 19, 21 |
| RAS to CAS Delay (tRCD) | 19, 21 |
| Row Precharge Delay (tRP) | 19, 21 |
| Activate to Precharge Delay (tRAS) | 40° C, 42 |
| Напряжение питания | 1.2 В |
| Количество рангов | Single Rank (SR/1R) |
